碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管

证券时报网（www.stcn.com）09月07日讯

美国研究人员6日宣告，他们成功制备出一种碳纳米晶体管，其性能初次超出现有硅晶体管，有希望为碳纳米晶体管未来代替硅晶体管摊平路径。

据新华社9月7日报道，硅是如今主流半导体材料，普遍应用于各类电子元件。但受限于硅的本身性质，传统半导体技术被以为已经趋近极限。碳纳米管具有硅的半导体性质，科学界希望利用它来制作速度更快、能耗更低的下一代电子元件，使智能手机和笔记本电脑等设备的电池寿命更长、无线通信速率和计算速度更快。

但长久以来，碳纳米管用作晶体管面对一系列挑战，其性能一直落伍于硅晶体管和砷化镓晶体管。美国威斯康星大学麦迪逊分校研究人员在新一期美国《科学进展》杂志上介绍了他们战胜的多重困难。

首先是提纯问题。碳纳米管内常常混淆一些金属纳米管，简单形成相似电子设备中的短路效应，搅扰碳纳米管的半导体性能。但研究人员创造出一种高份子聚合物提纯技术，成功把碳纳米管中的金属纳米管含量下降至0.01%以下。

第二个挑战是碳纳米管的阵列控制极端困难。要取得性能优越的晶体管，必须按适当的次序组合碳纳米管，使它们之间坚持适当的距离。为此，研究人员开发出一种叫“浮动蒸发自组装”的技术，处理了这一困难。

第三个挑战是碳纳米管必须与晶体管的金属电极坚持优越的电接触。研究人员在提纯过程当中应用的聚合物在碳纳米管与金属电极之间构成了绝缘层，为此他们把碳纳米管放入真空容器中“烘烤”去除绝缘层，并通过熔解的办法去掉残留杂质，从而保障了优越的电接触。

最后，研究人员取得的碳纳米晶体管的电流承载能力是硅晶体管的1.9倍，并在此基础上成功研制出2.54厘米见方的晶片。下一步，他们将努利巴这一工艺扩大至商业生产水平。

研究负责人之一迈克尔·阿诺德教授在一份声明中说，这是一个“重大里程碑”，是推进碳纳米管在高速通信和其他半导体电子技术方面应用的关键一步，有助于持续推进计算机行业有关性能的高速发展，特别是在无线通信技术方面。

（证券时报网快讯中心）

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