势要赶超台积电！三星宣布2025年量产2纳米芯片

表明2 nm晶体管技术的商业化将在2025年前实现，以便在芯片加工领域与更大的竞争对手TSMC竞争。

据媒体报道，三星在今日的代工论坛上表示，将于2025年开始量产2nm芯片，明年上半年开始量产客户设计的3nm芯片，预计2023年量产第二代3nm芯片。

全面提供制造能力，保持最先进技术领先地位，在应用层面不断提升技术三星代工部门总裁Choi sSi—young表示他说，伴随着新冠肺炎疫情的加速数字化，三星的客户和合作伙伴将能够在适当的时间提供适当的技术，以开发硅应用的无限潜力

三星表示，其用于GAA晶体管结构的先进工艺技术已全面开发，明年可为客户量产3 nm芯片，2025年可量产2 nm芯片与5nm芯片相比，GAA工艺生产的3 nm芯片性能提升30%，功耗降低50%

同时，三星也在不断完善FinFET工艺技术该公司表示，与28纳米相比，其17纳米finfet工艺芯片的性能提高了39%，功率效率提高了49%，面积减少了43%

根据消息显示，今年三星的代工论坛以线上虚拟会议的形式举办，几天后的活动预计将吸引全球2000多家客户和合作伙伴。

有必要赶上TSMC。

三星计划在TSMC计划大规模生产第一代3纳米芯片的同时，大规模生产这些芯片TSMC总裁魏哲家今年6月表示，3 nm工艺的量产将于2022年下半年开始

可是，值得注意的是，芯片代工市场的领头羊TSMC尚未公布其量产2nm芯片的路线图这也凸显了三星缩小与TSMC市场份额差距的努力，势必会赶上TSMC在先进芯片制造领域的雄心如果三星在TSMC之前引进更先进的技术，无疑会吸引谷歌，高通和苹果等全球主要客户

根据市场研究公司Counterpoint research的数据，三星作为全球第二大代工厂商，第二季度芯片全球代工市场份额为14%，远低于TSMC的58%。。

三星希望在2030年前投资133万亿韩元，成为全球最大的半导体代工公司TSMC也表示，未来三年将在代工业务上投资1000亿美元，巩固市场领先地位

在三星和TSMC激战正酣的同时，美国科技巨头英特尔也在进军芯片代工领域今年3月，英特尔宣布将在芯片业务上投资数十亿美元，并表示计划到2024年生产1.8纳米芯片可是，行业观察人士表示，这一目标可能遥不可及

同时，一些电动汽车厂商和科技公司也表示将自主生产汽车芯片，以减少对芯片厂商的依赖。简而言之，台积电的集成封装专利，通过将光学信号及电信号处理结构结合，并减小多个光子管芯的尺寸，能够增加产量，并显著降低了制造成本。

根据半导体市场研究公司IC Insights的预测，到2025年，全球芯片代工市场将从今年的1072亿美元增长到1512亿美元。