3nm工艺投产!三星反超台积电
作者:沐瑶 栏目:科技 来源:C114通信网 发布时间:2022-07-01 14:53
据韩国媒体报道,三星电子今天正式投产GAA架构的3nm制程芯片,为赶超TSMC奠定基础据报道,GAA架构优于目前广泛使用的FinFET架构
TSMC此前宣布今年下半年量产3纳米工艺这意味着三星在先进技术方面首次超过了TSMC此外,英特尔预计明年下半年量产3nm工艺芯片
这个工厂的投产也打破了业内的很多猜疑此前,台湾省业界认为,三星可能因为3nm的良率低而不得不推迟量产
客观来说,这种怀疑是有历史依据的三星一直试图追赶TSMC的先进技术,但步子迈得太大,良品率不时成为隐患在代工市场,三星的份额也远远落后于TSMC
TSMC表示,不会对三星的突破发表评论据说TSMC基于FinFET架构的3nm工艺将进入量产阶段,它将与FINLEX架构相匹配另外,2nm工艺预计2025年量产
资料显示,三星60%的芯片制造产能供应给集团旗下的公司预计这种3nm产能也不例外,会被三星集团首先使用