2024-2026年SiC器件发展将迎“爆发期”

财联社报道称，中信建投认为，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温，高压，高频，大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件。

中信建投将SiC器件发展分为三个发展阶段:2019—2021年为初期，2022—2023年为拐点期，2024—2026年为爆发期。，Omdia最新研究表明，到2026年，消费类虚拟现实市场价值将达到160亿美元，比2021年增长148%。。

中信建投认为，SiC伴随着在新能源汽车，充电基础设施，5G基站，工业和能源等应用领域展开，需求迎来爆发增长，其中，新能源汽车是SiC器件应用增长最快的市场，预计2022—2026年的市场规模从16亿美元到46亿美元。

尤为值得一提的是，本土企业在车用SiC领域已经取得了一定的突破去年12月，在首届集微汽车半导体生态峰会上，广东芯聚能半导体有限公司总裁周晓阳也表示，芯聚能SiC模块将用于主逆变器，且已通过国内前三大主机厂车载可靠性测试，夏季标定和耐久测试，系统环境耐久试验考核，预计2022年Q1量产