存储厂商争相开启EUV之路

日前，美光公司总裁兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉表示，在公司位于中国台湾省的新工厂正式启用后，美光将引进最先进的1α纳米DRAM工艺进行生产，同时将配备最先进的极紫外设备此前，三星和SK海力士都宣布EUV光刻技术将用于一些DRAM工艺这意味着全球前三大DRAM供应商三星，SK海力士，美光都在DRAM的制造过程中使用了EUV光刻技术

EUV是大势所趋。

伴随着高性能计算的应用场景越来越多，各国数据中心建设的数量和速度都在不断上升，对内存产品的性能要求也越来越高DRAM的研发技术正在加速升级，工艺技术已经进入10nm级别各大内存厂商纷纷推出1X，1Y，1Z工艺产品，并继续向1α，1β，1γ等节点技术推进有观点认为，当DRAM芯片工艺达到15nm时，应该使用EUV光刻机伴随着各大存储厂商的工艺演进，加入EUV是大势所趋

市场报告显示，三星在全球DRAM市场占有44%的份额，销售额达到近419亿美元三星作为DRAM领域的领军企业，往往引领着技术的潮流2020年3月，三星率先提出在DRAM的制造过程中使用EUV光刻技术的方案，并于2021年10月开始正式量产基于14nm EUV光刻技术的DRAM在这个过程中，三星还将其最先进的14纳米DDR5 DRAM工艺的EUV层数从两层增加到五层2021年11月，三星称已由EUV科技研发出双倍数据速率的14nm 16Gb低功耗5X DRAM，专门用于5G，人工智能，机器学习等大数据终端的高速率应用

2021年SK海力士的DRAM市场份额为28%，以266亿美元的销售额排名第二与三星一样，SK海力士在2021年第四季度报告称，该季度已量产基于EUV技术的1αnm工艺DDR5内存芯片SK海力士还指出，虽然1αnm工艺存储器使用的EUV光刻机价格昂贵，但有助于提高生产效率，是不可避免的升级工艺2022年，SK海力士将继续扩大1αnm工艺内存的生产基于EUV技术的1αnm产量预计将在年底占到总产量的25%

美光在日前举行的投资者日上公布了DRAM的未来技术路线图，明确指出将在1γDRAM的制程中引入EUV技术此次，美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra正式宣布，将在中国台湾省的新工厂引进最先进的EUV设备，这也印证了美光公司的EUV计划正在稳步实施

从EUV光刻机供应商的角度来看，如ASML，EUV光刻技术加入到DRAM的制造过程中是一个很好的消息ASML发布的2022年第一季度财报显示，ASML来自逻辑和存储领域的贡献为50%与上一季度相比，ASML来自存储客户的销售收入大幅增长ASML总裁兼首席执行官彼得·温宁克在一份声明中表示:本季度，我们收到了来自逻辑芯片和内存芯片客户的大量高NA EXE:5200系统订单

财报中强调，为了提高芯片电路的精细度，三星，美光，SK海力士等存储芯片厂商都采用了EUV光刻工艺生产存储芯片这是存储芯片制造商ASML EUV订单快速增长的重要原因

使EUV DRAM得到充分推广。

目前，DUV是DRAM制造中主要的光刻设备DUV设备主要使用193nm波长进行光刻，而EUV设备的波长为13.5nm，使用EUV设备进行生产会减小电路宽度，单位面积存储更多数据

而且目前电子产品都在向小型化发展，智能手机，可穿戴设备等产品都是芯片尺寸和性能并重EUV技术可以缩小DRAM产品的尺寸，提高存储和处理能力，降低功耗与DUV工艺相比，EUV工艺的掩膜少，加工步骤少，从而缩短了生产时间，提高了生产效率

最近几年来，受库存和产品价格的影响，各大内存厂商之间的竞争非常激烈虽然EUV设备的投资价格相对较高，但带来的效益是可观的，可以减少掩膜使用次数，提高产品良率，降低生产成本半导体行业专家杨君刚说

研究分析师张显扬告诉记者，目前芯片组性能提升主要有两个途径，一是先进封装，二是先进制造工艺这两种方式相辅相成但是，对存储性能的要求在不断提高与193nm的ArF相比，采用更短波长光源的EUV光刻机可以实现更精细的半导体电路图形设计和制造，同样表面积的芯片可以存储更多的数据

张显扬预测，未来晶圆厂在DRAM市场的话语权会进一步加强，封装企业的利润空间会相对压缩，DRAM终端和晶圆厂会有更深的捆绑。

TrendForce Jibang Consulting的分析师吴雅婷也表示，EUV光刻是缩小DRAM工艺的唯一方法，它有三个优点:首先，它可以将DRAM工艺进一步缩小到15nm以下第二，通过更先进工艺的进步，单个粒子的容量增加到16Gb或更高第三，缩短了生产过程时间，因为可以减少暴露的通道数量

不过，吴雅婷也指出，由于EUV的成本很高，在产品折旧和摊销的初始阶段，将很难感受到单个芯片成本降低的速度在整体DRAM市场份额有限的情况下，平均销售单价很难出现以往的间歇性下降

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